氮化铝陶瓷片是以高纯氮化铝粉体为原料，经高温烧结、精密加工制成的高性能先进陶瓷材料，是当前高端电子领域散热与封装的核心基础材料。我们提供全尺寸规格定制服务，支持常规片材及各类异形件加工，氮化铝产品热导率可达170-230 W/(m·K)，性能指标达到国内领先水平，可满足不同应用场景对散热、绝缘的严苛要求。
核心产品特性
性能维度 | 核心优势 | 具体参数说明 |
|---|---|---|
超高导热性能 | 散热能力远超传统陶瓷 | 热导率稳定在170-230 W/(m·K)，是传统氧化铝陶瓷的5-10倍，可快速导出大功率器件热量，避免局部过热损伤 |
**热膨胀匹配 | 长期可靠性更高 | 热膨胀系数约4.6×10⁻⁶/K，与半导体硅、砷化镓匹配度*，可大幅降低热循环应力，提升器件使用寿命 |
优异电气绝缘 | 适配高压高频场景 | 体积电阻率＞10¹³Ω·cm，击穿电压＞15 kV/mm，绝缘性能优异；1MHz下介电常数仅8.5-8.9，介电损耗＜0.0003，高频信号损耗极小 |
稳定耐候耐腐蚀 | 适配复杂工况 | 熔点高于2200℃，长期工作耐高温、耐熔融金属侵蚀，对浓无机酸、多种熔盐稳定性好，可适应各类高温高腐蚀环境 |
精密加工定制 | 满足多样化需求 | 支持0.3mm-20mm全厚度定制，尺寸精度可达±0.01mm，可按需完成金属化（镀镍/镀金）、打孔、切割等后续加工，满足不同产品设计需求 |
相较于传统氧化铝、氧化铍陶瓷，氮化铝陶瓷片兼顾高导热、高绝缘与无毒环保特性，是高功率电子器件散热封装的zui优选择。
主要应用范围
✅ 电子封装与半导体散热
IGBT功率模块、新能源汽车电机控制器、光伏逆变器散热基板
大功率LED照明、激光器件热沉基板、功率半导体模块封装基板
大规模集成电路、混合集成电路散热载体，MCM多芯片封装基板
✅ 半导体设备领域
光刻机、等离子清洗设备结构部件，晶圆加工设备静电卡盘、加热器基材
半导体高温处理工艺夹具、真空镀膜支撑结构件
✅ 通信与射频领域
5G通信基站射频模块散热绝缘载体，微波器件、滤波器基板
雷达、卫星通信系统高温透波部件，射频功率放大器封装
✅ 高温与工业领域
有色金属熔炼坩埚、蒸发舟、高温炉结构件，热电偶保护管
高温绝缘构件、耐酸碱腐蚀部件，真空设备绝缘隔热件
✅ 光电与新能源领域
深紫外发光二极管、紫外探测器基底材料，激光器散热载体
新能源汽车电池管理系统、储能变流器散热部件
